AG九游会最全！20V到1700V全笼盖的国产MOSFET功率器件工温最高175

　　· 厂牌劣势：专注于功率半导体芯片及器件制作、集成电路封装测试等范畴的财产开展，，经由过程了ISO9001，ISO14001，IATF16949等认证，持续数年评为中国半导体功率器件十强企业。

　　· 厂牌劣势：专注于功率器件、分立器件、频次器件、电源办理芯片、汽车电子等产物的研发制作商，其前身为长电科技（环球出名的集成电路封装测试企业）分立器件部分。主营产物包罗二极管、三极管、MOSFET、LDO、DC-DC、频次器件、功率器件等，具有15000多个产物系列和型号，普遍使用于各消耗类、产业类电子范畴。同时公司还为汽车电子和兵工范畴供给专业化产物和效劳。

　　· 次要产物：整流二级管芯片、轴型硅整流二极管、开关二极管、稳压二极管、微型桥堆、外表装置玻封和外表装置塑封二极管、金属玻璃封装大功率整流管等。

　　· 厂牌劣势：环球最大的二极管消费商之一，每个月产量可达2.5亿只，占天下产量的8%-9%。中国唯逐个家具有最多TR1汽车客户认证的企业。主营二极管&MOS，包罗电流（0.2A~40A）、电压（20V~200V）全系列巨细功率产物，品类齐备，封装多样，泄电流小；详细自立晶圆供给才能；和车规级功率器件，包罗小旌旗灯号开关二极管，小旌旗灯号稳压管，肖特基二极管，TVS二极管，整流二极管；产物都契合AECQ101尺度，经由过程了IATF16949，ISO9001认证。

　　· 厂牌劣势：努力于新产物研发，产物自立率95%以上，现有Trench MOSFET、SGT MOSFET、Super JunctionMOSFET、LED Driver四大类产物线、数百种型号；累计得到国度创造专利22 项特别新一代SGT产物手艺处于行业抢先程度。在适配器快充、挪动电源、车充、直流机电、新能源、太阳能光伏逆变、锂电庇护等使用范畴均占据抢先职位。

　　中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆消费商：瞻芯电子（InventChip）

　　· 厂牌劣势：努力于开辟以碳化硅为中心、高性价比的功率半导体器件和驱动掌握IC产物。其SiC MOSFET第一轮番片，为中国第一批国产6英寸碳化硅（SiC）MOSFET晶圆。瞻芯电子（InventChip）是中国宽禁带功率半导体及使用财产同盟会员单元，荣获2019年PSIC最具开展潜力企业。

　　· 厂牌劣势：环球抢先的半导体别离器件制作商，具有半导体高低流整合与自有中心手艺的劣势，努力于整流二极管、功率半导体、突波抑止器等别离式组件产物的研发消费，旗下半导体别离器件二极体类在环球市场排名前十。

　　· 厂牌劣势：紫光团体旗下紫光国芯微电子股分有限公司（简称“紫光国微”）半导体财产链中的中心企业之一，专注于先辈半导体功率器件的设想研发、芯片加工和封装测试。产物涵盖500V-1200V高压超结MOSFET、20V-150V中高压SGT/TRENCH MOSFET、40V-1500V VDMOS、IGBT、IGTO、SIC等半导体功率器件。交期12-28周。

　　· 厂牌劣势：根本半导体把握国际抢先的碳化硅中心手艺，研发笼盖碳化硅功率器件的质料制备、芯片设想、晶圆制作、封装测试、驱动使用等全财产链，前后推出全电流电压品级碳化硅肖特基二极管（电压规格650V-1700V；电流2A~40A）、经由过程产业级牢靠性测试的1200V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产物，机能到达国际先辈程度。此中650V碳化硅肖特基二极管产物已经由过程AEC-Q101牢靠性测试。

　　· 厂牌劣势：获环球Top3氮化镓/碳化硅晶圆厂代工撑持，环球Top5封装厂代工撑持，完成开模量产与手艺晋级，胜利研发可兼容驱动650V氮化镓功率器件，并完成Gen3手艺的1200V碳化硅MOS，弥补海内手艺财产空缺。

　　· 厂牌劣势：公司具有全自立常识产权，已申请25项专利手艺，接纳6英寸手艺已量产20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET产物，并成立起车规级的SiC MOS模块工场，可为客户供给整套使用处理计划。

　　· 厂牌劣势：2010年开端研发消费第三代半导体SiC元器件，其设想、工艺和机能居天下前线。产物次要包罗碳化硅MOS管和碳化硅肖特基二极管，电压次要是650V和1200V；MOS管，接纳先辈的沟槽栅工艺手艺完成功率密度最大化，从而低落电传播导过程当中的导通消耗。击穿电压笼盖-200V~650V，共同先辈的封装手艺，供给100mA~250A的电流范畴。

　　· 厂牌劣势：努力于第三代半导体和先辈硅器件的枢纽共性手艺工程化研发，主攻碳化硅、氮化镓和先辈硅器件三个手艺标的目的，研制出海内抢先的650V和 1200V 的肖特基二极管产物共23款，1200V的MOSFET产物共5款，同时具有40-650V电压品级的电力电子器件和面向5G和特种频段的微波功率器件研发才能。

　　· 厂牌劣势：专注于可低落切换消耗合用于高频操纵的超低电容电荷碳化硅肖特基二极管及碳化硅MOSFET。全系列接纳寄生电感小、小型化、外表贴焊的DPAK(TO-252) 及 QFN5x6封装，可节流PCB面积及主动化上件检测，合适有小型化高功率密度需求，如快充甲等使用。交期16周。

　　· 厂牌劣势：中国电子科技团体公司第五十五研讨所ag九游会登录j9入口，具有海内独一的“宽禁带半导体电力电子器件尝试室”。是海内最早成立4、6英寸SiC消费线片/年，公司经由过程了GB/T 19001、ISO9001等行业认证。

　　· 厂牌劣势：集半导体研发、封装、检测（次要二三极管、 MOS管、IC集成电路）的高新手艺有限公司，努力于为环球电子制作企业供给优良、高效、专业的半导体元器件需求处理计划。供给的包罗中高压MOSFET（VDSS:20V~150V）和高压MOSFET（VDSS：500V~900V）; 自立晶圆设想才能，多种形状封装，中高压MOSFET 12英寸 8英寸、高压MOSFET 6英寸；中高压MOSFET接纳沟槽和SGT工艺，高压MOSFET接纳平面工艺；超低内阻的芯片设想。月产能16亿PCS 高压MOS交期4-8周，中高压MOS 1-2周交期。

　　· 厂牌劣势：专注于二三极管、桥式整流器、MOS管的研发消费，具有自立品牌“GK，GW”，建有12条芯片封装及测试线，年产各种封装的半导体整流桥、贴片二极管、直插二极管、MOS管等产物达100亿颗。

　　· 厂牌劣势：努力于功率半导体元器件研发与贩卖的国度高新手艺企业，经由过程ISO9001质量系统认证。铨力依托来自、美国硅谷及本地的顶尖手艺精英，增强自立研发立异才能，为行业供给机能愈加杰出的产物，曾经成为新能源、电脑、网通、手机、电池、消耗性产物等行业的持久协作同伴，产物远销海表里。

　　· 次要产物：TVS（瞬态电压制止管）、肖特基二极管AG九游会、快规复二极管、桥堆二极管、MOSFET、SiC二极管等

　　· 厂牌劣势：别离式器件研发消费的功率半导体系体例作商，面向产业和汽车市场，自有晶圆厂，完好封装产线。MOSFET电压笼盖到20V至200V；主营贴片封装，接纳沟槽工艺，自立设想晶圆；产物接纳8寸芯片，具有低阻抗、大电流的特征，产物系列含车规认证AEC-Q101。

　　· 厂牌劣势：具有晶圆、封装、器件测试 和使用设想等多范畴的中心手艺，努力于新型元器件研制、贩卖和使用处理计划设想，已累计得到约80多项国度受权创造专利。此中中高压MOSFET的VRMM：30V~150V；IF:10A—230A；高压MOSFET：VRMM：200V~900V；IF：2A—20A。

　　· 厂牌劣势：接纳欧盟消费尺度，在电路设想、半导体器件及工艺设想、牢靠性设想、器件模子提取等方面积聚了浩瀚中心手艺，并得到国度创造专利，适用新型专利等多项天分。

　　· 厂牌劣势：努力于POWER MOSFET及碳化硅产物的研发和消费。今朝8 英寸月产能12000片，6寸产能10000片，是东亚地域独一的PLANNER 8英寸晶圆消费线，手艺主干均来自SAMSUNG（三星）和FAIRCHILD（仙童）。美浦森(Maplesemi)2009年得到韩国当局IT VENTURE企业承认，成为韩国首家跻身环球SiC MOSFET顶尖制作商。

　　MOSFET作为不成替换的根底性产物，被普遍使用在各个范畴。在环球节能减排大情况下， MOSFET比拟于IGBT和三极管器件功耗低、事情频次高，无电流拖尾等征象发生。世倔强创平台会聚国产出名MOSFET功率器件制作商， 可供给20V-1700V，包罗高压，中压，高压MOSFET，事情温度最高可达175℃，鞭策研发项目快速国产化选型。