AG九游会交融SiC和Si的长处：混淆功率模块和混淆分立器件

　　封装在一同。好比IGBT模块次要是由硅基IGBT和硅基二极管构成，碳化硅模块次要是由SiCMOSFET和SiCSBD构成。

　　不外，碳化硅本钱居高不下，客岁特斯拉暗示鄙人一代平台上削减75%的碳化硅用量，但没有阐明要怎样完成这个目的，和详细的计划。在业界的料想中，就包罗糊淆模块的计划。

　　前面提到今朝支流的功率模块包罗IGBT模块和SiC模块，别离是利用硅基和SiC基功率器件作为中心。但混淆功率模块，望文生义就是将硅基和SiC基的功率器件混淆封装到一个模块中。

　　今朝较为遍及的混淆碳化硅功率模块的情势是，接纳IGBT和SiCSBD分离。因为硅二极管是双极器件，存在反向规复消耗大的特性，而SiCSBD险些没有开关消耗，可以使IGBT的开关消耗明显低落。与不异封装的尺度硅IGBT模块比拟，IGBT+SiCSDB的功率模块可以进步功率密度、服从、事情频次等。

　　另外一种是接纳SiCMOSFET和硅IGBT混淆封装，今朝业界的计划大要是利用2颗SiCMOSFET配套6颗硅IGBT封装成模块，固然这个比例还能够灵敏分配。这类方法的益处是，能够同时操纵SiC和IGBT的劣势，经由过程体系掌握，令SiC运转在开关形式中，IGBT运转在导通形式。SiC器件在开关形式中消耗低，而IGBT在导通形式中消耗较低，以是这类形式有能够实如今服从稳定的状况下，低落SiCMOSFET的利用量，从而低落功率模块的团体本钱。

　　不外也有业内助士暗示，SiCMOSFET和IGBT混淆模块也存在一些使用上的应战，包罗用于汽车的封装工艺不变性、IGBT和SiCMOSFET并联电路设想、驱动掌握等成绩。因而，今朝市情上的混淆功率模块产物根本上是IGBT和SiCSBD。

　　普通来讲，硅IGBT单管实际上是将IGBT和FRD（快规复二极管）封装成单个器件，而混淆碳化硅分立器件将此中的硅FRD换成SiCSBD。因为SiCSBD没有双极型硅基高压FRD的反向规复举动，混淆碳化硅分立器件的开关消耗得到了极大的低落。按照根本半导体的测试数据显现，这款混淆碳化硅分立器件的开通消耗比硅基IGBT的开通消耗低落约32.9%，总开关消耗比硅基IGBT的开关消耗低落约22.4%。

　　而SiCSBD在近几年的价钱获得了较着降落，混淆碳化硅分立器件团体的本钱比拟硅IGBT和硅FRD实践相差不会太大。因而这类器件能够用在一些夸大性价比的电源范畴，好比车载电源、车载空调紧缩机等。

　　在已往几年碳化硅器件供给不敷的状况下，降生了很多碳化硅基和硅基器件的混淆计划，固然今朝来看碳化硅的本钱仍然“相对较高”，下流终端期望碳化硅器件供给商能持续贬价，同时也紧缩了上游的利润。但跟着客岁开端海表里大批碳化硅高低流产能开释，碳化硅的本钱在将来两年能够会持续降落，届时混淆模块或是混淆器件的计划可否得到市场喜爱仍有待察看。

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