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AG九游会三星获得半导体器件专利晶体管的阈值电压可完成差别

发布日期:2024-02-24 17:06 浏览次数:

  金融界2024年2月23日动静,据国度常识产权局通告,三星电子股份有限公司获得一项名为“半导体器件“的专利AG九游会,受权通告号CN110690287B,申请日期为2019年7月。

  专利择要显现,本公然供给了半导体器件。一种半导体器件包罗:基板,包罗第一有源地区和第二有源地区;第一有源图案和第二有源图案,别离设置在第一有源地区和第二有源地区中;第一栅电极和第二栅电极,别离穿插第一有源图案和第二有源图案;第一栅极绝缘图案,插设在第一有源图案和第一栅电极之间;和第二栅极绝缘图案AG九游会,插设在第二有源图案和第二栅电极之间。第一栅极绝缘图案包罗第一电介质图案和设置在第一电介质图案上的第一铁电图案。第二栅极绝缘图案包罗第二电介质图案。第一有源地区中的晶体管的阈值电压差别于第二有源地区中的晶体管的阈值电压。

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