AG九游会三星获得半导体器件专利完成优化半导体器件构造

　　金融界2024年2月23日动静，据国度常识产权局通告AG九游会，三星电子股份有限公司获得一项名为“半导体器件“的专利AG九游会，受权通告号CN109860298B，申请日期为2018年11月。

　　专利择要显现，一种半导体器件包罗：沟道图案，包罗次第地堆叠在衬底上的第一半导体图案和第二半导体图案；和栅电极，沿第一标的目的延长并穿插沟道图案。栅电极包罗插置在衬底与第一半导体图案之间的第一部门、和插置在第一半导体图案与第二半导体图案之间的第二部门。第一部门在第二标的目的上的最大宽度大于第二部门在第二标的目的上的最大宽度，第二半导体图案在第二标的目的上的最大长度小于第一半导体图案在第二标的目的上的最大长度。